SJ 50033.131-1997 半导体分立器件3DD157型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
618D5508ACDE4E6780E310DA32A597E2 |
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文件大小(MB)： |
0.56 |
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页数： |
12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/131-97,半导体分立器件3DD157型,低频大功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD157 low-frequency,and high — power transistor,1997-06.17 发布 1997.10.01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件3DD157型,低频大功率晶体管详细规范 ” 5。。3シ⑶-97,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD157 low-frequency,and high - power transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DD157型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件,总规范》1.3的规定,提供的质量等级为普军、特军和超特军三,级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-94双极型晶体管,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,引出端表面应为锡层或鎳层,3.2.2 器件结构,器件采用三重扩散台面结构,中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布 1997-10-01实施,—1 —,SJ 50033/131-97,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2-01C型（见图1）,mm,気B2—OIC 获B2-01C,min nom max min nom max,A 12.19 坦3.84 4.21,如1.52 q 29.9 30.40,跖2 0.9 1.092 R 13.58,め22.86 Ri 4.82,d 5.46 S 16.89,F 3.5 Ut 40.13,L 8.0 13.9 U2 27.17,レ1.52,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,2,www. bzfxw. com 下载,SJ 50033/131-97,型号,1),Ptot,Tc = 25l,W,VcBO,V,VcEO,V,Vebo,V A 匕,丁 stg,V,3DD157B 150 100,3DD157C 200 150,3DD157D,45,250 200,5 3 175 -55-175,3DD157E 350 250,3DD157F 400 300,3DD157G 600 400,注:l）Tc>25匕时,按0.3W/K的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性（7\ = 25じ）,、、极限值,型号X,&FE1,35V,Jc=15A,Vex ^BEaat ^(th)j-c,Vce=10V,Zc = 0.5A,25t
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